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DS1230AB-200IND+
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DS1230AB-200IND+技术资料
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DS1230AB-200IND+
存储器芯片
制造厂商:
美信半导体(Maxim Integrated)
功能简述:
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
原厂封装:
28-EDIP
优势价格,DS1230AB-200IND+的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DS1230AB-200IND+的技术资料下载
DS1230AB-200IND+的功能参数资料 - 美信公司(Maxim)提供
Maxim美信半导体完整型号:DS1230AB-200IND+
制造商:Maxim Integrated(美信半导体,已被AD/ADI收购)
描述:IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
系列:-
格式 - 存储器:RAM
存储器类型:NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量:256K(32K x 8)
速度:200ns
接口:并联
电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V
工作温度:-40°C ~ 85°C
封装/外壳:28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商器件封装:28-EDIP
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